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熔融(Fusion Bonding)和混合鍵合(Hybrid Bonding)技術

發布時間:2020-10-26

瀏覽次數:1034

1. 熔融(Fusion Bonding)和混合鍵合(Hybrid Bonding)技術應用有哪些?

用于工程基板和3D器件集成的熔融(Fusion Bonding)和混合鍵合(Hybrid Bonding)技術。

2. 介紹

熔融鍵合或直接晶圓鍵合可通過每個晶圓表面上的介電層長久連接,該介電層用于工程襯底或層轉移,例如背面照明的CMOS圖像傳感器。

混合鍵合擴展了與鍵合界面中嵌入的金屬焊盤的熔融鍵合(Fusion Bonding),從而允許晶片面對面連接?;旌湘I合(Hybrid Bonding)的主要應用是高級3D設備堆疊。

熔融或直接晶圓鍵合使介電層和功能團,更精確的活化,懸掛在氫橋鍵的幫助下在晶圓之間橋接。該預鍵合步驟在室溫和大氣條件下進行。僅在隨后的退火步驟中,低能氫橋鍵才變成共價鍵。傳統上,熔融鍵合用于工程襯底。蕞近,熔融鍵合用于使用荃面積電介質堆疊晶片。由于在常規環境條件下進行預鍵合,小于100 nm的非常高的對準,這允許使用晶圓對晶圓的熔融鍵合進行3D集成方案。此外,銅墊可與介電層平行處理,從而可以在環境溫度下預鍵合介電層,在退火過程中可以通過金屬擴散結合實現電接觸。這種特殊情況稱為混合鍵合?;旌湘I合的主要應用包括CMOS圖像傳感器,存儲器以及3D片上系統(SoC)。

3. 技術特征

工程襯底的層轉移,例如絕緣體上的硅,RF射頻兼容襯底和背面照明的圖像傳感器

3D片上系統設備,芯片堆疊和管芯劃分需要高度對準的晶圓間互連,精度要求低至50 nm混合鍵合功能可同時進行機械和電氣連接,連接間距極低,小于1微米

EVG850 LT 晶圓鍵合機

EVG850 LT SOI和直接鍵合晶圓鍵合機

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