<strike id="1z3bd"></strike>
<ruby id="1z3bd"></ruby>
<strike id="1z3bd"></strike>
<span id="1z3bd"><dl id="1z3bd"></dl></span><span id="1z3bd"><dl id="1z3bd"></dl></span><ruby id="1z3bd"><ins id="1z3bd"></ins></ruby>
<strike id="1z3bd"><ins id="1z3bd"><cite id="1z3bd"></cite></ins></strike>
<ruby id="1z3bd"><ins id="1z3bd"></ins></ruby><strike id="1z3bd"><i id="1z3bd"><cite id="1z3bd"></cite></i></strike>
<strike id="1z3bd"></strike>
<span id="1z3bd"><dl id="1z3bd"><del id="1z3bd"></del></dl></span>
<strike id="1z3bd"></strike>
<strike id="1z3bd"><ins id="1z3bd"></ins></strike><strike id="1z3bd"></strike>
產品中心

PRODUCT CENTER


首頁 > 產品中心 > Thetametrisis膜厚儀

FR-Scanner 自動化超高速薄膜厚度測量儀

FR-Scanner 自動化超高速薄膜厚度測量儀

FR-Scanner 厚度測量視頻




       Thetametrisis膜厚儀 FR-Scanner 是一種緊湊的臺式工具,適用于自動測繪晶圓片上的涂層厚度。FR-Scanner 可以快 速和準確測量薄膜特性:厚度,折射率,均勻性,顏色等。真空吸盤可應用于任何直徑或其他形狀的樣片。

應用

  • 半導體生產制造:(光刻膠, 電介質,光子多層結構, poly-Si, Si, DLC, )
  • 光伏產業
  • 液晶顯示
  • 光學薄膜
  • 聚合物
  • 微機電系統和微光機電系統
  • 基底:透明 (玻璃, 石英, 等等) 和半透明

       Thetametrisis膜厚儀獨特的光學模塊可容納所有光學部件:分光計、復合光源(壽命10000小時)、高精度反射探頭。因此,在準確性、重現性和長期穩定性方面保證了優異的性能。

       Thetametrisis膜厚儀 FR-Scanner 通過高速旋轉平臺和光學探頭直線移動掃描晶圓片(極坐標掃描)。通過這種方法,可以在很短的時間內記錄具有高重復性的精確反射率數據,這使得FR-Scanner 成為測繪晶圓涂層或其他基片涂層的理想工具。

測量 8” 樣片 625 點數據 < 60 秒

特征

  • 單點分析(不需要預估值)
  • 動態測量
  • 包括光學參數(n和k,顏色) o 為演示保存視頻
  • 600 多種的預存材料
  • 離線分析
  • 免費軟件更新



FR-Scanner V4.png




性能參數


樣品尺寸

晶圓: 2 英寸-3 英寸-4 英寸-6 英寸-8 英寸-300mm1

角度與線性分辨率

5μm/0.1o

光斑

350μm

光譜范圍

370-1020nm

光譜規格

3648pixels/16bit

光源MTBF

10000h

厚度范圍 2

12nm-90μm

精度 3

0.02nm

穩定性 4

0.05nm

準確度 5

1nm

折射率測量蕞小厚度 6

100nm

掃描速度 7

625meas/min

通訊接口

USB 2.0 / USB 3.0.

產品尺寸(mm)

485W x 457L x 500H

電源要求

110V/230V, 50-60Hz, 300W

外觀

防靜電噴涂鋼板和 304 不銹鋼面板

重量

40Kg


測量原理

       白光反射光譜(WLRS)是測量從單層薄膜或多層堆疊結構的一個波長范圍內光的反射量,入射光垂直于樣品表面,由于界面干涉產生的反射光譜被用來計算確定(透明或部分透明或完全反射基板上)的薄膜的厚度、光學常數(n和k)等。


Thetametrisis膜厚儀原理



? 1* 樣片平臺可容納任意形狀的樣品。450mm平臺也可根據要求提供。真正的X-Y掃描也可能通過定制配置。 
? 2* : 硅基板上的單層SiO2薄膜的厚度值。對于其他薄膜/基質,這些值可能略有不同。 
? 3* : 15天平均值的標準差平均值。樣品:硅晶片上1微米的二氧化硅 
? 4* : 2 X (超過15天的日平均值的標準偏差)。樣品:硅晶片上1微米的二氧化硅 
? 5* : 測量結果與校準的光譜橢偏儀比較 
? 6* : 根據材料 
? 7* : 測量以8 "晶圓為基準。如有特殊要求,掃描速度可超過1000次測量/每分鐘


如果您想要了解更多關于Thetametrisis膜厚儀的產品信息,請聯系我們岱美儀器。



未經許可不得復制、轉載或摘編,違者必究!